用于制備一種氧穩(wěn)定氟化釔薄膜

       氟化釔薄膜具有較低的折射率(折射率約為1.4)，較寬的透過波段(0.35～12μm)，和其他氟化物(氟化鋇，氟化鈣等)相比具有較高的硬度，使得薄膜廣泛用于各種襯底上的增透膜的設(shè)計。

       常用制備薄膜的方法為熱蒸發(fā)沉積法，離子、電子束輔助 蒸發(fā)沉積法，化學(xué)法等。磁控濺射技術(shù)是一種低溫高速薄膜沉積技術(shù)，廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)和科學(xué)研究中，但是利用磁控濺射技術(shù)采用氟化釔靶材來制備薄膜時，易使得陰離子氟離子流失，吸收增大，折射率畸變，功能失效，同時薄膜的內(nèi)應(yīng)力失穩(wěn)，極易使得 薄膜破裂脫落與破裂，導(dǎo)致結(jié)構(gòu)失效。

       缺氟會導(dǎo)致的光學(xué)常數(shù)的變形，一般采取反應(yīng)氣體來補充氟離子，如果采取氟氣，則有劇毒。如果采用全氟化碳則會在薄膜中引入C等雜質(zhì)離子，嚴重惡化薄膜的光學(xué)性能。

制備方法按以下步驟實現(xiàn)：

       1、將ZnS襯底用CH3COCH3超聲波清洗15～30min，用酒精清洗15～30min，然后用去離子水清洗30min，再將ZnS襯底置于磁控濺射真空倉內(nèi)的旋轉(zhuǎn)加熱臺上，通過真空獲得系統(tǒng)將真空倉內(nèi)抽成真空至真空度為 1.0×10-4～9.9×10-4Pa，然后加熱至25～1000℃并保溫30～120min；

       2、向真空倉通入Ar 氣至真空倉內(nèi)壓強為3～5Pa，對ZnS襯底表面進行反濺清洗10～20min；

       3、反濺清洗后，施加濺射功率，濺射功率為60～500瓦，預(yù)濺射20～50min，然后開啟O2流量劑開關(guān)，O2流量控制在1sccm～100sccm，至真空倉內(nèi)氣體壓強為0.1～2Pa后向ZnS襯底表面鍍膜，鍍膜1～3h后關(guān)閉O2流量劑開關(guān)，繼續(xù)鍍膜10～300min；

       4、鍍膜完成后抽真空 到2.0×10-4Pa并升溫至200～1000℃，保溫2～5h，待真空倉內(nèi)溫度降至室溫，即完成氧穩(wěn)定氟化釔薄膜的制備。